Waarom zijn GaN-chips zo belangrijk in stoorzenders?

Het belang van GaN-chips in stoorzenders komt tot uiting in de volgende aspecten:

- Hoog vermogen: GaN heeft een grote bandafstand van 3,4 eV en het doorslagveld is 20 keer hoger dan bij andere RF-halfgeleidertechnologieën. Hierdoor kunnen op GaN gebaseerde eindversterkers signalen met hoge spanning en hoge stroomsterkte verwerken, wat resulteert in een hoog vermogen RF-uitvoer. In anti-RCIED-apparatuur zijn bijvoorbeeld krachtige stoorsignalen nodig om draadloze triggersignalen te verstoren, en GaN-chips kunnen aan deze vereiste voldoen en effectief de normale werking van RCIED-ontvangers verstoren. Bovendien is bij anti-UAV-jammers een hoog uitgangsvermogen vereist om de communicatiesignalen van drones binnen een bepaald bereik te onderdrukken, en kunnen GaN-chips voor de nodige stroom zorgen.

- Hoge frequentierespons: GaN-chips hebben uitstekende hoogfrequente eigenschappen en kunnen over een breed frequentiebereik werken. Stoorzenders moeten meestal meerdere frequenties bestrijken om verschillende soorten doelsignalen te kunnen verwerken. Sommige stoorzenders moeten bijvoorbeeld in de frequentieband 4000-8000 MHz werken om dronesignalen te verstoren. Op GaN gebaseerde versterkers kunnen een hoge versterking en zeer efficiënte versterking bereiken in een dergelijke hoge frequentieband, zich snel aanpassen aan veranderingen in verschillende signaalfrequenties en modulatiemethoden, en real-time interferentie bereiken.

- Hoge efficiëntie: GaN-chips hebben een hoge elektronenmobiliteit, die de aan-weerstand kan verminderen en de schakelsnelheid kan verhogen, waardoor het stroomverlies tijdens bedrijf wordt verminderd, de conversie-efficiëntie wordt verbeterd en de warmteontwikkeling wordt verminderd. In een stoorzendermodule op basis van een GaN-chip van 50 watt kan de efficiëntie bijvoorbeeld 45% of zelfs hoger bedragen. Hoge efficiëntie helpt niet alleen energie te besparen, maar zorgt er ook voor dat de stoorzender lange tijd stabiel kan werken en vermindert de vereisten voor het stroomvoorzieningssysteem en het warmtedissipatiesysteem van de stoorzender, wat bevorderlijk is voor de miniaturisatie en draagbaarheid van de apparatuur.

- Goede thermische geleidbaarheid: GaN heeft een goede thermische geleidbaarheid, wat bevorderlijk is voor de afvoer van de warmte die wordt gegenereerd wanneer de chip werkt. Tijdens werking met hoog vermogen kan de door de chip gegenereerde warmte snel naar buiten worden overgebracht via de warmtedissipatiestructuur, waardoor het probleem van prestatievermindering of zelfs schade aan de chip als gevolg van oververhitting wordt vermeden. De keramische buismantel die wordt gebruikt in de op GaN-chips gebaseerde stoorzendermodule kan bijvoorbeeld het warmtedissipatie-effect aanzienlijk verbeteren en ervoor zorgen dat de module stabiel werkt onder zware omgevingsomstandigheden.

GAN 50W eindversterkermodule met cirkelbescherming

- Sterk anti-interferentievermogen: GaN-chips hebben een sterk anti-interferentievermogen en kunnen nog steeds stabiele prestaties behouden in complexe elektromagnetische omgevingen. Stoorzenders moeten vaak werken in een omgeving vol met verschillende stoorsignalen. Het uitstekende anti-interferentievermogen van GaN-chips kan ervoor zorgen dat stoorzenders nauwkeurig interferentiesignalen kunnen genereren en effectief kunnen interfereren met doelsignalen zonder te worden beïnvloed door andere interferentiesignalen.